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N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – MARCH 94
FEATURES
* 100 Volt V DS
* R DS(on) = 0.5 ?
* Spice model available
ZVN4310A
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Practical Continuous Drain Current at
SYMBOL
V DS
I D
I DP
VALUE
100
0.9
1
UNIT
V
A
A
T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Practical Power Dissipation at T amb =25°C*
Operating and Storage Temperature Range
I DM
V GS
P tot
P totp
T j :T stg
12
± 20
850
1.13
-55 to +150
A
V
mW
W
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a P.C.B.
with copper equal to 1 inch square minimum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
Drain-Source
BV DSS
100
V
I D =1mA, V GS =0V
Breakdown Voltage
Gate-Source
V GS(th)
1
3
V
ID=1mA, V DS = V GS
Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage
Drain Current
On-State Drain
I GSS
I DSS
I D(on)
9
20
10
100
nA
μ A
μ A
A
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =100V, V GS =0
V DS =80V, V GS =0V, T=125°C (2)
V DS =25 V, V GS =10V
Current(1)
Static Drain-Source
On-State Resistance
R DS(on)
0.36
0.48
0.5
0.65
?
?
V GS =10V,I D =3A
V GS =5V, I D =1.5A
(1)
Forward
g fs
600
mS
V DS =25V,I D =3A
Transconductance
(1)(2)
3-393
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